Laboratorio A6. Crecimiento de Películas Delgadas Semiconductoras
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Investigadores Responsables: Dr. Gerardo Torres Delgado. Dr. Sergio Jiménez Sandoval. Auxiliar: M. C. Joaquín Márquez Marín.
Edificio A : Crecimiento de Películas Delgadas Semiconductoras. Tel Laboratorio: (442) 2119900 ext. 1532 |
Descripción del Laboratorio:
Obtención de películas delgadas de mezclas de óxidos semiconductores nanoestructurados por la técnica de Sol-Gel y su aplicación en la degradación de compuestos orgánicos en fase líquida y gas. Obtención de películas semiconductoras del grupo III-V por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida. Obtención de películas semiconductoras binarias, ternarias y cuaternarias por la técnica de Erosión Catódica (Sputtering).
Equipos
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1. Sputtering. Crecimiento de películas delgadas por Erosión Catódica. Crecimiento desde temperatura ambiente hasta 600°C. Vacio 10-6 Torrs.
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2. Sputtering. Crecimiento de películas delgadas por Erosión Catódica. Crecimiento desde temperatura ambiente hasta 200°C. Vacio 10-6 Torrs.
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3. Epitaxia en fase líquida. Crecimiento de películas cristalinas de alta calidad.
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5. Equipos Varios. *Sistema de Inmersión para crecimiento de películas delgadas. * Campanas de Extacción y Muflas. |
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